图10在有机基板内埋置电容的各种方法
图10表示在有机基板内埋置电容元件的各种形成方法。图10(a)是采用介电体膜片埋置电容C的方法。首先，将钛酸钡系及氧化钴系微粉末混入环氧树脂等绝缘性树脂中，做成介电体复合材料膜片，在其两面所需要的部位，由铜箔形成电极，再通过多层积层形成埋置电容C的方法。图10(b)是采用浆料或溅射镀膜埋置电容C的方法。首先，在铜箔或导电薄膜构成的下部电极上，通过厚膜浆料印刷或薄膜溅射，形成介电体膜，再利用导电性浆料或薄膜，在介电体膜表面形成上部电极，最后通过多层积层法形成埋置电容C。
    图11表示有机基板内埋置电阻元件的各种形成方法。图11(a)表示在铜箔电极上印制碳／树脂浆料，经积层、蚀刻铜箔上电镀Ni系电阻膜，或在铜箔上全面溅射沉积CrNi、Tiw薄膜等，贴覆绝缘树脂膜片，再对铜箔蚀刻，形成R后，经积层、蚀刻铜箔，用以埋置电阻元件的工艺路线。由上述方法获得的电阻体元件与埋入陶瓷系基板中的不同。前者几乎适用于所有情况，电阻体形成之后，都能先修边调阻值，从而可获得高精度电阻体。此外，树脂基电阻体与树脂系电容、电感元件不同，前者可获得阻值分布范围相当广泛的元件。但是，由于其固化温度低，与陶瓷基元件相比，在稳定性方面存在一些问题。

图11 在有机基板内埋置电阻的各种方法

图12 采用复合材料膜片或浆料印刷涂布形成
   图12表示采用上述方法，正在实现制品化的埋置电子元件的基板模块实例。图12（a）是利用膜片积层获得的，埋置C、R、L的模块（TDK公司）；图12(b)是利用印刷、涂布方式获得的埋入C、R的模块基板结构。无论上述哪种情况，由于其C、L数值受到限制，目前仅限用于高频模块中。
另一方面，为了获得稳定且数值分布较宽的C、R埋置元件，先在玻璃陶瓷低温共烧基板（LTCC）中埋置高温烧成厚膜C、R，而后再将其埋入树脂系基板中。例如，先在铜箔上选定位置，印刷C、R高温烧成用厚膜浆料，在氮气气氛中经800℃一900℃烧成后，在有元件的一侧贴覆树脂基板，对铜箔蚀刻形成c、R。如有必要，在该阶段进行修整调阻值。而后，再按通常的积层工艺实现多层化，制成埋入元件的树脂系基板(图13)。采用这种方法制作的C，由于是高温烧成，介电常数可接近1000，无论在性能、可靠性等方面均可达到接近陶瓷基板内部埋置的C、R元件的水平。

图13 高温烧成厚膜C、R埋入树脂系基板的工艺过程
    但是，开发这种新材料、新工艺需要时间。目前，只有薄型微小片式元件埋人树脂系基板内部的方法达到制品化水平。首先达到实用的有封装用基板(interposer)和模块基板(图14(a)(b))两类，今后会逐渐推广到系统集成封装模板（见图14（c））。需要指出的是，由于这种结构是将热膨胀系数不同的薄型片式元件埋入基板中，应特别注意积层后元件电极及层间互连也的连接可靠性。

图14 从基板中埋入无源元件的封装和模块向埋入无源、有源元件的系统集成模块封装的发展趋势