埋入元件的基板正推广到有机系统
    在陶瓷系基板中埋入电子元件取得成功的基础上，人们开始在有机树脂系基板中埋入电子元件的研究开发，以实现三维集成化封装，近年来取得了重大进展。树脂系基板中埋入元件可以大大缩短布线距离，基对高频、高速电路的优势性与陶瓷系基板是同样的。特别是，由于前者不需要高温烧结，不存在烧结收缩问题，而且集成之前可以对元件调整修，又适合于大型基板，在降低价格方面有很大潜力。目前，受埋入元件种类、尺寸及性能参数等的限制，首先是用于高频模块用基板和BGA/CSP等封装基板，并已达到实用化（见图7(a)(b)）

图7 树脂系基板的发展方向
    实际上,将电子元件埋入树脂系基析内部的努力并不是最近才开始的,很早以前人们就进行过类似的尝试.例如,训埋入电阻元件,在铜箔与衬底树脂基材之间通过电阻,形成NIP系电阻膜,再对铜箔及民阻膜分别蚀刻,形成导体布线及所需的电阻,利用这种布线基材技术,就可以在有机基板内部埋置电阻元件(见图8(a);再如，为了埋入电容元件，可采用厚50μm左右的贴覆铜箔的积层板，对铜箔进行蚀刻形成对向电极，并由此形成埋入C的多层基板(见图8(b)；ZYCON)。但是，这些制品在片式元件小型化和低价格化的竞争中，并未显示出太大的优势，除小部分制品之外，并未推广和普及。
    在此之后，人们采用更为积极的方式进行内部埋置元件的基板材料和结构的开发。例如，采用在树脂中分别混入铁电体、电阻体、铁磁性体粉末制作的膜片或浆料，通过铜箔及导电浆料形成电极，用以制作C、R、L元件；或者在通常的绝缘膜片上通过溅射膜或CVD法形成C、R、L元件。这些具有在基板内部埋置C、R代表性的结构，如图9(a)、(b)所示。

图8  很早就已达到实用化的基板内埋置C、R的结构实例

图9在树脂基板内部埋置无源元件的结构实例