伴随轻薄短小、高性能便携电子设备的急速增加，将电子元器件埋入基板内部的所谓后SMT(post-SMT)封装技术已初见端睨。目前，虽然是以埋置R、C、L等无源元件为主，但近年来，将芯片等有源元件，连同无源元件全部埋置于基板内部的终极三维封装技术也在迅速进展之中。
    驱动高密度封装快速发展的两个车轮
    两个车轮驱动着电子封装快速向高密度方向发展。第一个车轮是以手机为代表的便携电子设备向小型、轻量、薄型方向的进步，电子封装必须适应其发展；第二个车轮是高集成度、超微细化半导体IC元件性能的提高，电子封装必须满足其要求。
    关于前者，除了IC卡等超薄形封装必不可少外，即使是微机、笔记本电脑、手机、数码相机、PDA等，对封装小型、轻量化的要求也有增无减。从这种意义上讲，超薄型封装的重要性不言而喻。

图1 表示采用薄形封装的电子设备的实例。
  关于后者，如图2所示，半导体IC元件的特征尺寸正向0.1μm进展。此此相应，半导体IC元件在高速、高频及大容量化等性能方面快速提高。但是，这种发展却大大受制于电子封装。从现状看，电子封装IC的"特征尺寸"比之半导体芯片0.1μm的特征尺寸要大三个数量级。由SMT技术将电子元器件组装在基板上的传统技术已阻导体IC元件的发展。因此，急需开发将IC芯片及其它元件封装在数十微米范围内的新型封装技术。   

图2 由SMT技术将电子元器件组装在基板上的传统封装技术已阻碍了半导体IC元件的发展
今后，随着工作频率的不断提高，EMI（electromagnetic interference）为中心，充分利用布线板，将多个元件高密度且最短距离地封装，就显得格外重要。IC封装及无源元件的小型化、端子窄节距化、元件复合化、基板布线细化、互连孔径微细化、窄节距微互连技术等等，所有这些无一不是针对IC元件及无源元件搭载在基板上，通过互连线连接的传统封装方式。靠这种传统封装即使在其延长线上，布线宽度/布线距离充其量能达到数十微米水平，这对于更高速回路来说，与IC同样，会遇到由布线阻抗等引发的各种问题。
现在看来，避免上述问题的理想方案是，将需要搭载的所有元器件埋置在基板内部，做成一体化结构。这样做不仅能实现小型、薄型封装，还可以保证元件电极间的距离达到最短。
近年来，电子元器件和印制线路板正发生日新月异的变化。IC元件在实现了超小型封装（如CSP）之后，一部分存储器元件等正在向三维（如手用芯片叠层、封装叠层、硅图片叠）封装方向发展。
与此同时，无源元件正向陶瓷复合部件方向转变。其中，搽载IC芯片的埋置无源元件的基板模块，作为高密度封装发展的方向，发展日趋活跃。而且，这些在陶瓷系统中已基本成熟的前提下，正逐渐在树脂系基板系统中转移并推广，特别是还出现了将无源及有源元件全部埋入基板内部的终极三维封装形式。
    即使是Si芯片本身，为适应这种形式的发展，也正发生着一些变化：一方面，芯片中集成无源元件，从而构成集成有无源元件的集成芯片；另一方面，芯片做成便于基板内部的形式等。这样，就为元件全部埋置于基板内部的系统集成封装创造了条件。