Cu¹⁺含量的影响

根据蚀刻反应，随着铜的蚀刻就会形成一价铜离子。较微量的Cu¹⁺，例如4g/lCu¹⁺含在120g/lCu²⁺的溶液中就会显著地降低蚀刻速率。所以，在蚀刻操作中要保持Cu¹⁺的含量在一个低的范围内。例如低于2g/l。并要尽可能快地使其重新氧化成Cu²⁺。

在生产实践中如何控制溶液中的Cu¹⁺浓度？

根据奈恩斯特方程：E=E₀＋(0.059/n)lg([Cu²⁺]/[Cu¹⁺])

式中：E是指定浓度下的电极电位

E₀是标准电极电位

n是得失电子数

[Cu²⁺]是二价铜离子浓度

[Cu¹⁺]是一价铜离子浓度

从以上方程可以看出，氧化-还原电位E与（CU²⁺/CU¹⁺）比值有关。

从图10-7表蝗溶液中CU¹⁺浓度与氧化-还原电位之间的相互关系。

图10-7 溶 渡假中CU¹⁺浓度与氧化-还原电位之间的关系　

从图中可以看出，随着溶液中CU¹⁺浓度的不断升高，氧化-还原电位不断下降，当氧化-还原电位在530MVJF 时，CU¹⁺浓度低于0.4G/1.能提供最理想的，高的和几乎恒定的蚀刻速率（见图10-8）。所以，一般在操作中都以控制溶液的氧化-还原电位来控制溶液中CU¹⁺的浓度。一般氧化-还原电位多控制在510-550MV左右。

图10-8 溶液氧化-还原电位与蚀刻速率的关系