使用有线焊结构(正装)形式的FPBGA，其封装外形尺寸不可能接近于芯片尺寸，不利于小型化的展开，但可以利用原来的下层结构(1nfras)与COB、LLC的组装有类同之处，这是最早考虑的一种CSP结构。CSP在封装外形上与COB、LLC最大不同是球型端以区域陈列状配置，作为制造商，最好是COB、LLC组装尺寸能与CSP相符，就是对定制形式的CSP也可采用原来的下层结构，这样就增加了组装的自由度。作为片基材料，可以用与BGA同样的环氧树脂、陶瓷、聚酰亚胺载带(TAB带)，从细密型的布线上看，利用TAB技术比较有利，且适合于卷带式的大批量生产，日本的夏普和TI公司都使用载带作为片基材料。
倒装芯片方式的组装结构，CSP封装外形可接近于芯片，已做到小型化。在连接技术上，采用电镀成形的凸点与倒装芯片组装后加入充填物(underfill)，就可得到良好的效果，比原来液晶驱动器组装用电镀接点的连接要简便，当然，如用球型接点连接时可更加方便。但是，在芯片的接点间距不断缩小，接点本身尺寸也越来越小且高度也不足的情况下，在片基与芯片很狭的缝隙间进行充填作业是很困难的。一种方法是将接点做成区域陈列状，利用原来的Fc技术，采用IBM的C4焊料凸点形式(controlled Collapse Chip Conne Ction)，MOTOROLA公司的slice(Slightly larger than IC carrier)是个实例。这可看作是FC+BGA(片基)形态的CSP，有利点是可以使用常规的芯片。芯片的连接技术在进入亚微米级时，其周边端子的连接会产生困难，图2.8是解决方式的举例，将带有周边端子的芯片用叠置布线层重复布线，使之区域化，再装载作为片基的TGA(Transformed Grid Array)做成CSP形式。图2—9是索尼公司的DVC中采用的不同芯片，由TGA将间距换成0.5mm。
     

图2.8  Area Bumped Chip            通孔    予筛半田(0．25口ram)ram)
图2.9 Transformed·Grid·Array

    松下公司采用的SBB方式(Stud Bump Bonding)制成的CSP(使用球型接点)见图2-10 表示，通过导电性粘接剂使球型接点与陶瓷片基进行连接，这种方式的特征，可以在密封树脂固化前进行检测，如果仅是单个芯片组成的MCM，发现不良芯片时可加以更换。对带周边端子的芯片变换成区域化形式时，也可用MBB方式，使用UV固化型粘接剂进行连接(参见图3.8)这种技术如能通用化，将是连接技术的发展方向。

Au凸点
导电性接着剂

 图2.10  松下公司的CSP(SBB方式)
    倒装芯片的组装，必须选择适合的片基材质，加工方法，在片基与芯片接合后，恢复到常温时(接合点)可能会出现热膨胀系数的失配，靠原有接点具有的连接强度可能还不行，要分散接合时的应力，可设置虚假接点(凸点)促进应力的分散，同时在操作方法上也要加以兼顾。